SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 என்ற வரிசையில் புதிதாக MeRAM (Magneto Electric Random Access memority) எனும் புது வகை நினைவகம் கடந்த வாரம் நடந்த 2012 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco வில் அறிமுகம் செய்யப்பட்டது. ““Voltage-Induced Switching of Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions” எனும் தலைப்பில் நடந்த கருத்தரங்கில் MeRAM பற்றிய தகவல்கள் முதன் முதலில் வெளியிடப்பட்டன.
spin-transfer torque (STT) எனப்படும் மின் காந்த தொழில்நுட்பத்தில் மின்சாரத்தில் உள்ள நகரும் எலெகட்ரான் மூலம் தகவல்களை நினைவாகத்தில் எழுதும் புதிய முறையை கண்டுபிடித்துள்ளனர்.
Electron களில் உள்ள காந்தப் பண்பான “சுழற்சி” (Magetic property of elctrons – referred as spin in addition to their charge) எனும் வகையில் இந்த ஆராய்ச்சி நடந்துள்ளது.
ஆராய்ச்சியாளர்கள் சில சிக்கல்களை சந்தித்தனர், அதிக தகவல்களை எழுத முற்படும் போது அதிக எண்ணிக்கையில் Electron களை சுழலச் செய்வதால் அதிக மின்சாரமும் அதிக வெப்பமும் ஏற்பட்டது, இதை தவிர்க்க மின்சாரத்தில் உள்ள Voltage ஐ நேரடியாக பயன்படுத்திப் பார்த்தனர். இப்போது வெப்பமும் ஏற்படவில்லை அதே நேரத்தில் குறைந்த இடத்தில் அதிக தகவல்களை எழுத முடிந்தது.
இதன் மூலம் மிகக் குறைந்த மின்சாரம்(10 – 1000 மடங்கு குறைவு) , மிக அதிக வேகம், அதிக இடம் (5 மடங்கு) மற்றும் மிகக் குறைந்த விலையில் கணினி நினைவகங்களை உருவாக்க முடியும்.
கணினி மட்டும் அல்லாது செல்போன், TV போன்ற பிற மின்சாதனங்களில் இதை குறைந்த விலையில் பயன்படுத்த இயலும்.
0 comments:
Post a Comment